Irfs630a транзистор параметры цоколевка

Производитель: FAIRCHILD
Сфера применения: Trough-Hole Power MOSFET
Популярность: 11966
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора IRFS630A

Общий вид транзистора IRFS630A.	Цоколевка транзистора IRFS630A.

Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRFS630A.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

В данном тексте опишем основные технические характеристики транзистора IRF630. Он используется чаще всего в блоках питания, стабилизаторах, регуляторах, схемах управления электродвигателями и других электронных устройствах. Их можно найти в схемах развертки мониторов, импульсных блоках питания. Основная информация:

• Полярность -N;
• Тип — MOSFET;
• Корпус — TO220.

Распиновка

Цоколевка IRF630 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ. Маркировка наносится на корпус, его размеры приведены на рисунке.

Выводы контактов у транзистора следующие:

Характеристики

При выборе MOSFET транзистора в первую очередь нужно обратить внимание на максимально допустимый ток стока. Для IRF630 он равен 9 А. Если ток превысит допустимое значение компонент выйдет из строя.

Еще одним важным параметром является напряжение между стоком и истоком. Если оно будет больше транзистор пробьется.

• Максимальное напряжение сток-исток (напряжение на затворе 0 В.) — 200 В;
• Предельное напряжение между стоком и затвором — 200 В;
• Максимальное напряжение на затворе — 20 В;
• Максимальный постоянный ток стока при температуре 25 0 С — 9 А;
• Предельный постоянный ток стока при температуре 100 0 С — 5,7 А;
• Максимальный импульсный ток стока при температуре 25 0 С — 36 А;
• Наибольшая рассеиваемая мощность — 75 Вт;
• Температура хранения — -65 … +150 0 С;
• Максимальная рабочая температура +150 0 С.

• Минимальное сопротивления открытого канала — 0,4 Ом;
• Емкость затвора — 700 пФ;
• Заряд затвора — 23,3 нКл;
• Пороговое напряжение включения — 4 В.

Аналоги

Заменить транзистор IRF630 можно его ближайшим аналогом IRF510. Из отечественных полевых транзисторов подойдут КП630 и КП737А

Особенности монтажа

При выборе 630того в различные схемы следует учитывать его чувствительность к перегреву. Существует также вероятность его пробоя статическим электричеством. Поэтому рекомендуется использовать паяльник с регулировкой температуры и заземлением. Максимальная температура жала — 300 0 С.

Производители

DataSheet от irf630 можно скачать здесь. Его выпускают следующие производители: International Rectifier, STMicroelectronics, Advanced Power Electronics Corp.,INCHANGE Semiconductor, HI-SINCERITYMICROELECTRONICS CORP., NJ Semi-Conductor, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY

IRFS630A MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFS630A

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

IRFS630A Datasheet (PDF)

1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 ? Rugged Gate Ox >4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd

November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. • Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to �

4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi

November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect � 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild�s proprietary, � Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. � Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to � Fast switchi

4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.45 ? Rugged Gate Ox >