S8550 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.

Распиновка

Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:

1. Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
2. База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
3. Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.

Основные характеристики

• Низкое напряжение, большой ток;
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
• Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
• Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
• Напряжение базы эмиттера (VBE0) -5В;
• Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
• Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
• Корпус To-92.

Комплементарной парой для него является S8050.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Аналоги

Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

• Наименование: S8550
• Тип: PNP
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V_CE (max) (U_КЭ (max)): 20 В
• Максимально допустимое напряжение коллектор-база V_CBO (max) (U_КБ (max)): 30 В
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база V_EBO (max) (U_ЭБ (max)): 5 В
• Максимальный ток коллектора I_C (max) (I_К (max)): 700 мА
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_К (max)): 1 Вт

Граничная частота f_t (f_ГР): 100 МГц