Содержание
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Юмор: Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором MPSL51; Коллективный разум.дата записи: 2019-05-21 21:09:40 2SA1015 – полный аналог; Добавить аналог транзистора 2N5401.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N5401? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение. РаспиновкаСтандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.
Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база. Технические характеристикиНаиболее важными техническими параметрами транзистора 2N5401 (при температуре +25 0 С) являются:
ЭлектрическиеУ большинства производителей значения параметров, для PNP-структур, указано со знаком минус. Имейте ввиду, что таким образом они указывают обратное напряжение на P-N переходе (на коллектор — минус, на базу плюс). Ниже, в таблице, приведены все электрические величины для 2N5401 при температуре +25 0 С.
ТепловыеТепловые параметры показывают, на какую температуру транзистор может нагреться при заданной рассеиваемой мощности. Они влияют на надежность работы, ведь при превышении максимальной температуры устройство выйдет из строя. Эти значения важны также, при выборе радиатора.
Аналоги и комплементарная параНаиболее подходящий отечественный аналог транзистора 2N5401 — это КТ6116А, КТ502Е или КТ698К. Среди зарубежных данный прибор можно заменить такими: 2N5400, ECG288, MMBT5401, MPSA92, MPSA93, MPSL51, BF491, ECG288, 2SB646, 2SB646A, 2SA637, 2SB647, 2SB647A, 2SA638, BC526A, BC404VI, 2SA1015, 2SA709. Комплементарной парой для него, согласно документации производителей, могут быть n-p-n транзисторы: 2N5551 2N5550. ПроизводителиДалее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Биполярный транзистор 2N5401 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: 2N5401 Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус транзистора: TO92
2N5401 Datasheet (PDF)
2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features • These are Pb-Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW Der
2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features • These are Pb-Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW Der
2N5401CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 ± 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 ± 0.13 (0.12 ± 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 ± 0.10 max. VCEO = 150V A = (0.04 ± 0.00
2N5401DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 ± 0.15 2.29 ± 0.20 1.65 ± 0.13 (0.055 ± 0.006) (0.09 ± 0.008) (0.065 ± 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 150V CEO 6.22 ± 0.13 A = 1.27 ± 0.13 I = 0.6A C (0.
2N5401HR Hi-Rel PNP bipolar transistor 150 V, 0.5 A Datasheet – production data Features 3 BVCEO 150 V 1 1 IC (max) 0.5 A 2 2 3 HFE at 10 V – 150 mA > 60 TO-18 LCC-3 3 • Hermetic packages 4 • ESCC and JANS qualified 1 • Up to 100 krad(Si) low dose rate 2 UB Description Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. The 2N5401HR is a silicon planar PNP transistor
2N5401N Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with 2N5551N Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5401N 2N5401 T MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5400/D Amplifier Transistors 2N5400 PNP Silicon * 2N5401 *Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol 2N5400 2N5401 Unit CASE 29�04, STYLE 1 TO�92 (TO�226AA) Collector�Emitter Voltage VCEO 120 150 Vdc Collector�Base Voltage VCBO 130 160 Vdc Emitter�Base Voltage VEB 1.8. 2n5401.pdf Size:52K _philips DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N5401 PNP high-voltage transistor Product specification 2004 Oct 28 Supersedes data of 1999 Apr 08 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor 2N5401 FEATURES PINNING � Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION � High voltage (max. 150 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � General pu 1.9. 2n5401 3.pdf Size:49K _philips DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N5401 PNP high-voltage transistor 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 May 22 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor 2N5401 FEATURES PINNING � Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION � High voltage (max. 150 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � General p 1.10. 2n5401 mmbt5401.pdf Size:75K _fairchild_semi 2N5401 MMBT5401 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark: 2L PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltages. Absolute Maximum Ratings* TA = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VCBO Collector-Base Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Co 1.11. 2n5401.pdf Size:53K _samsung 2N5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR TO-92 � Collector-Emitter Voltage: VCEO= 150V � Collector Dissipation: PC (max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -600 mA Collector Dissipation PC 625 mW Junc 145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 � Fax: (631) 435-1824 1.13. 2n5401.pdf Size:275K _mcc 2N5401 MCC TM Micro Commercial Components ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector�Emitter Breakdown Voltage(1) V(BR)CEO Vdc (IC = 1.0 mAdc, IB = 0) 150 � Collector�Base Breakdown Voltage V(BR)CBO Vdc (IC = 100 mAdc, IE = 0) 160 � Emitter�Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 5.0 � Vdc (IE = 10 mAdc, IC = 1.14. 2n5401-d.pdf Size:145K _onsemi 2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features � These are Pb-Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25�C PD 625 mW Derate ab 1.15. 2n5401.pdf Size:219K _utc UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ? FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain, ? ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2N5401L-x-AB3-R 2N5401G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N5401L-x-T92-B 2N5401G-x-T92-B TO-92 E B C Tape Box 1.16. 2n5401.pdf Size:250K _auk 2N5401 PNP Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose amplifier E • High voltage application Features B • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : C VCE(sat)=-0.5V(MAX.) TO-92 • Complementary pair with 2N5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5401 TO-92 1.17. 2n5401.pdf Size:337K _secos 2N5401 -0.6 A, -160 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES G H Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony J Low current (max. 600mA) A D Millimeter REF. Min. Max. B High voltage (max. 160V) A 4.40 4.70 B 4.30 4.7 1.18. 2n5401.pdf Size:274K _cdil Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 2N5401 TO-92 CBE C B E High Voltage PNP Transistor For General Purpose And Telephony Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 150 V Collector -Ba 1.19. 2n5401.pdf Size:32K _kec SEMICONDUCTOR 2N5401 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. B C FEATURES High Collector Breakdwon Voltage N DIM MILLIMETERS : VCBO=-160V, VCEO=-150V A 4.70 MAX E K Low Leakage Current. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=-0.5V(M SEMICONDUCTOR 2N5401S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS FEATURES _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 High Collector Breakdwon Voltage C 1.30 MAX 2 : VCBO=-160V, VCEO=-150V 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Low Leakage Current. 1 G 1.90 H 0.95 : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V J 0.1 SEMICONDUCTOR 2N5401C TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. B C FEATURES High Collector Breakdwon Voltage N DIM MILLIMETERS : VCBO=-160V, VCEO=-150V A 4.70 MAX E K Low Leakage Current. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=-0.5V( 1.22. 2n5401.pdf Size:204K _lge 2N5401(PNP) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 600mA) High voltage(max.160v) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Dimensions in inches and (millimeters) VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO 1.23. 2n5401.pdf Size:680K _wietron 2N5401 PNP Transistors TO-92 1 1. EMITTER 2 3 2. BASE 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol 2N5401 Unit Collector-Emitter Voltage V CEO -150 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current IC 600 mAdc Total Device Dissipation T =25 C PD W 0.625 A Junction Temperature T 150 j C Storage, Temperature Tstg 1.24. h2n5401.pdf Size:52K _hsmc Spec. No. : HE6203 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.09.22 Revised Date : 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. TO-92 Features • Complements to NPN Type H2N5551 • High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA)) Ab 1.25. 2n5401.pdf Size:307K _can-sheng TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE FEATURE FEATURE FEATURE TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Applications su 1.26. 2n5401.pdf Size:170K _first_silicon SEMICONDUCTOR 2N5401 TECHNICAL DATA 2N5401 TRANSISTOR (PNP) B C FEATURE Switching and Amplification in High Voltage Applications such as Telephony DIM MILLIMETERS Low Current(Max. 600mA) A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G High Voltage(Max.160v) C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) H J 14.00 0.50 + L 2 1.27. 2n5401s.pdf Size:225K _first_silicon SEMICONDUCTOR 2N5401S TECHNICAL DATA High Voltage Transistor FEATURE 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping SOT–23 2N5401S 2L 3000/Tape&Reel MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V – 150 Vdc CEO 3 COLLECTOR Collector–Base Voltage V CB 1.28. 2n5401.pdf Size:301K _shenzhen-tuofeng-semi
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) TO-92 FEATURE Switching and amplification in high voltage 1.EMITTER Applications such as telephony 2.BASE Low current(max. 600mA) High voltage(max.160v) 3.COLLECTOR 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value |
