Меню Рубрики

2N3904 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор 2N3904, его характеристики говорят о том что чаще всего используется в телевидение и бытовой электронике в качестве выключателя малой нагрузки. Также его можно использовать в виде простого усилителя или стабилизатора, в зависимости от схемы включения.

Характеристики транзистора 2N3904

В технической документации про 2N3904 написаны следующие данные:

  • низкий ток (max. 200mA);
  • низкое напряжение (max. 40 V );
  • высокоскоростное переключение.
  • тип NPN;
  • тип корпуса ТО-92.

Ограничительные значения:

ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ MIN. MAX. ЕДИНИЦА ИЗМЕРЕНИЯ
VCBO Напряжение коллектор-база Открытый эмиттер 60 V
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер Отрытая база 40 V
VEBO Напряжение эмиттер-база Открытый коллектор 6 V
IC Ток коллектора (DC) 200 mA
ICM Пиковый ток коллектора 300 mA
IBM Пиковый базовый ток 100 mA
Ptot Полная рассеиваемая мощность Tamb ≤ 25 °C; note 1 500 mW
Tstg Температура хранения — 65 +150 °C
Tj Температура перехода 150 °C
Tamb Рабочая температура окружающей среды — 65 +150 °C

Предельные значения приведены в соответствии с системой абсолютных максимальных рейтингов (IEC 134). Превышение одного или предельных значений может привести к необратимому повреждению устройства. Эксплуатация устройства при этих или при любых других условиях, превышающих значения, указанные в разделах «Характеристики» не подразумевается. Воздействие предельных значений в течение длительных периодов может повлиять на надежность устройства. Просим вас внимательно подбирать нужное оборудование.

Цоколевка

Ниже приведем цоколевку 2n3904 с российской схемой обозначения:

Заменить транзистор 2N3904 можно заменить на его аналоги в том числе и российские:

Эти продукты не предназначены для использования в устройствах или системах жизнеобеспечения, где можно ожидать, что оборудования могут привести к травме человека. Более подробную информацию о всех электрических параметрах транзистора 2n3904 можно узнать в его DataSheet. Также там описаны различные схемы включения, проверки цепи на время переключения, температурные показатели и различные графики с чертежами.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Юмор:
Кто последний, тот и папа.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N3904.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N3904 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N3904
транзистором 2N3904;
транзистором 2N4401;
транзистором BC349B;
транзистором КТ375А;
транзистором SC147;
транзистором SC147A;
транзистором SC147B;
транзистором SC148;
транзистором SC148A;
транзистором SC148B;

транзистором MPS6571;
транзистором GS9014;
транзистором GS9011I;
транзистором GS9014;
транзистором GS9011H;
транзистором MPSA20;
транзистором GS9014B;
транзистором GS9014C;
транзистором GS9011G;
транзистором GS9014A;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-11-28 00:03:16

дата записи: 2016-02-02 14:34:01

дата записи: 2018-01-27 10:33:27

дата записи: 2019-02-14 14:13:03

Добавить аналог транзистора 2N3904.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N3904? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2N3904 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3904

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

2N3904 Datasheet (PDF)

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA FEATURE NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and TO-92 Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emi

2N3904-T18 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) GENERAL PURPOSE HERMETIC NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES • SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR 0.48 (0.019) • HERMETIC TO18 PACKAGE 0.41 (0.016) dia. • HI-REL SCREENING OPTIONS AVAILABLE • HIGH SPEED SATURATED SWITCHING 2.54 (0.100) Nom. APPLICATIONS A h

2N3904N Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Descriptions • General small signal application • Switching application Features • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.3V(MAX.) @ IC=50mA, IB=5mA • Low collector output capacitance : Cob = 3pF(Typ.) @ VCB=5V, IE=0, f=1MHz • Complementary pair with STA3906A Ordering Information Type NO. Mark

SEMICONDUCTOR 2N3904SC TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ·Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. ·Excellent DC Current Gain Linearity. ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. ·Complementary to 2N3906SC. MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC SYMB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N3903/D General Purpose Transistors 2N3903 NPN Silicon * 2N3904 *Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29�04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO�92 (TO�226AA) Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector�Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc C

1.6. 2n3904 3.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N3904 NPN switching transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 15 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor 2N3904 FEATURES PINNING � Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � High-speed switch

2N3904 � SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Ordering Code Marking Package / Shipment 2N3904 2N3904 TO-92 / Bulk 2N3904-AP 2N3904 TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY THE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS 2N3906 TO-92 TO-92 APPLICATIONS Bulk Ammopack WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENT S

2N3904 MMBT3904 PZT3904 C C E E C C TO-92 B B SOT-23 B E SOT-223 Mark: 1A NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Absolute Maximum Ratings* TA = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V

1.9. 2n3904.pdf Size:169K _fairchild_semi

October 2011 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904 NPN General Purpose Amplifier Features � This device is designed as a general purpose amplifier and switch. � The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 2N3904 PZT3904 MMBT3904 C C E E C B TO-92 SOT-23 SOT-223 B Mark:1A EBC Absolute Maximum Ratings* Ta = 25�C unless otherwise noted Symbol Param

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 � Fax: (631) 435-1824

MCC Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth 2N3904 Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) NPN General Capable of 600mW of Power Disspation and 200mA Ic Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Purpose Amplifi

2N3903, 2N3904 General Purpose Transistors NPN Silicon Features http://onsemi.com � Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 2 BASE Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 1 Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current — Continuous IC 200 mAdc Total Device Dissipation PD @ TA = 25�C 625

1.13. 2n3904.pdf Size:214K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N3904 NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW * Complementary to 2N3906 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2N3904L-T92-B 2N3904G-T92-B TO-92 E B C Tape Box 2N3904L-T92-K 2N3904G-

1.14. 2n3904.pdf Size:162K _auk

2N3904 NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection • General small signal application C • Switching application Features B • Low collector saturation voltage • Collector output capacitance E • Complementary pair with 2N3906 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N3904 2N3904 TO-92 Absolute maximum ratings Ta=25°C Characteri

1.15. 2n3904.pdf Size:378K _secos

2N3904 0.2A, 60V NPN General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead free FEATURES TO-92 Power Dissipation PCM: 625mW (Ta=25°C) G H 1Emitter 1 1 1 Collector Current ICM: 200mA 2Base 2 2 2 Collector – Base Voltage V(BR)CBO: 60V 3Collector 3 3 3 J A D CLASSIFICATION OF hFE(1) Milli

SEMICONDUCTOR 2N3904V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES Low Leakage Current DIM MILLIMETERS 2 _ : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 @VCE=30V, VEB=3V. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 Excellent DC Current Gain Linearity. _ E 1.2 + 0.05 Low Saturation Voltage _ G 0.8 0.05

SEMICONDUCTOR 2N3904E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E B DIM MILLIMETERS FEATURES _ + A 1.60 0.10 D Low Leakage Current _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ @VCE=30V, VEB=3V. E 1.60 0.10 + _ + 1.00 0.10 G Excellent DC Current Gain Linearity. H

SEMICONDUCTOR 2N3904C TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Excellent DC Current Gain Linearity. D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=0.3V(Ma

1.19. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS FEATURES _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 Low Leakage Current C 1.30 MAX 2 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 @VCE=30V, VEB=3V. 1 G 1.90 H 0.95 Excellent DC Current Gain Linearity. J 0.13+0.1

1.20. 2n3904.pdf Size:51K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Excellent DC Current Gain Linearity. D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=0.3V(Max.)

SEMICONDUCTOR 2N3904U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E M B M DIM MILLIMETERS FEATURES _ A + 2.00 0.20 D 2 Low Leakage Current _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 @VCE=30V, VEB=3V. G 0.65 Excellent DC Current Gain Linearity. H 0.15+0

1.22. 2n3904a.pdf Size:657K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current N DIM MILLIMETERS : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX @VCE=30V, VEB=3V. G C 3.70 MAX D Low Saturation Voltage D 0.45 E 1.00 : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. F 1.27 G 0.85 Low Collector Outp

1.23. 2n3904.pdf Size:307K _lge

2N3904(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended This transistor is also available in the SOT-23 case with the type designation MMBT3904 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)

1.24. 2n3904.pdf Size:612K _wietron

2N3904 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current IC 200 mAdc PD 625 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C Storage, Temperatur

1.25. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.11.25 Revised Date : 2005.01.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N3904 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature.

1.26. 2n3904 to92.pdf Size:398K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904 TECHNICAL DATA FEATURE NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and TO-92 Amplifier applications As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emi

1.27. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904S TECHNICAL DATA General Purpose Transistor • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 2N3904S 1AM 3000/Tape & Reel 2 1 MAXIMUM RATINGS SOT–23 Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO 60 Vdc 3 COLLECTOR Emitter–Base Vo

1.28. 2n3904u.pdf Size:201K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N3904U TECHNICAL DATA General Purpose Transistor • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping AM 2N3904U 3000/Tape & Reel 1 2 SC-70 / SOT– 323 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 COLLECTOR Collector–Base Voltage VCBO 60 Vdc 1 Emi

1.29. 2n3904.pdf Size:383K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd 2N3904 NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW * Complementary to 2N3906 Lead-free: 2N3904L Halogen-free:2N3904G ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Plating Halogen Fre

Читайте также:  Где есть неодимовый магнит

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector