Меню Рубрики

4407A datasheet на русском

Содержание

AO4407A MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AO4407A

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 9.4 ns

Выходная емкость (Cd): 370 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm

Тип корпуса: SO-8

AO4407A Datasheet (PDF)

1.1. ao4407a.pdf Size:207K _aosemi

AO4407A 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4407A uses advanced trench technology to VDS = -30V prov >1.2. ao4407a.pdf Size:1643K _kexin

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407A (KO4407A) SOP-8 ■ Features ● VDS (V) =-30V ● >

4.1. ao4407.pdf Size:340K _aosemi

AO4407 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4407 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to prov >4.2. ao4407.pdf Size:2315K _kexin

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 SOP-8 ■ Features ● VDS (V) =-30V ● >

4407A datasheet

Параметры транзисторной сборки 4407/4407A, схема включения и даташит прилагаются.

4407A аналоги

Список аналогов 4407A (на что можно заменить) прилагается ниже.

Далее идёт оригинальный комментарий. Информацию выше добавил администратор.

Аналогов существует много. Например:

  • AO4407A
  • TPC8107, 8108, 8111, 8123
  • FDS6675, 6679
  • irf7416

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

Читайте также:  Г образные карнизы для ванной комнаты

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *