Bc337 транзистор характеристики и его российские аналоги

Характеристики биполярного кремниевого транзистора ВС337 позволяют отнести его к высокочастотным полупроводниковым устройствам средней мощности. Материал кремний, структура n-p-n. Ток коллектора в первых партиях от Philips не превышал 500 мА. Вместе с тем, современные экземпляры других производителей способны выдерживать до 800 мА, с максимальным напряжением до 45 В. Это позволяет безболезненно применять их в управлении разными нагрузками (диодами, лампочками, реле) требующими более 24 В. Высоких коэффициент H_FE, делает возможным использовать их в различных схемах предусиления и в выходных каскадах УНЧ малой мощности.

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Характеристики

Все характеристики на BC337 приведены в техническом описании (datasheet) на устройство. Наиболее важные значения, находятся в таблицах “максимальные рейтинги” и “электрические параметры”. Они проверяются производителем при тестировании и выпуске продукции.

Максимальные рейтинги

В максимальных рейтингах отражены предельные эксплуатационные свойства bc337. Превышение этих значений, может привести к выводу устройства из строя. Вот их полный перечень:

• Напряжение между коллектором и эмиттером (при разомкнутой цепи базы) V_CEO не более 45 В;
• Напряжение между коллектором и эмиттером (база соединена с эмиттером) V_CES не более 50 В;
• Напряжение между эмиттером и базой V_EBO не должно превышать 5 В;
• Ток коллектора I_C не должен быть больше 800 мА;
• Максимальная мощность P_C, которую транзистор может рассеять 625 мВт;
• Предельно допустимая температура 150 О С;
• Диапазон рабочих температур T_STG от -55 О С до 150 О С.

Обычно, эти данные приводятся вместе с параметрами на транзистор bc338. У 338 они немного хуже по допустимому напряжению, между выводами коллектор-эммитер (до 30 В). В остальном же, это полная копия рассматриваемого экземпляра, ставшая результатом отбраковки по итогам тестирования на завершающем этапе производства.

Электрические параметры

Ниже приведены электрические характеристики транзистора ВС337. Они выведены в отдельную таблицу и приводятся совместно с условиями проверки, указанными в отдельном столбце. Все значения проверяются производителем при температуре окружающей среды +25 О С:

Коэффициент усиления

Рассматриваемые изделия делятся на три группы по H_FE: “-16”, “-25” и “-40”. Эти данные, наносятся на корпус транзистора при маркировке. Обозначение при этом выглядит так: BC337-16, BC337-25, BC337-40. Максимальным коэффициентом усиления по току обладает BC33740 (до 630 H_FE).

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Производители

Представляем datasheet на транзистор ВС337 от производителей, наименования которых наиболее часто встречаются на российском рынке радиотоваров: ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, NXP. Иногда можно найти экземпляры и от других известных компаний: Philips, Motorola, KEC (Korea Electronics), UTS (Unisonic Technologies).

Биполярный транзистор BC337 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC337

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

BC337 Datasheet (PDF)

BC337-xBK / BC338-xBK BC337-xBK / BC338-xBK General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors NPN NPN Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz Version 2010-05-27 ±0.1 Power dissipation 625 mW 4.6 Verlustleistung Plastic case TO-92 Kunststoffgehäuse (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 C B E Gehäusematerial UL9

1.2. bc337 bc338 1.pdf Size:163K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC337/D Amplifier Transistors NPN Silicon BC337,-16,-25,-40 BC338,-16,-25,-40 COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol BC337 BC338 Unit CASE 29�04, STYLE 17 Collector�Emitter Voltage VCEO 45 25 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector�Base Voltage VCBO 50 30 Vdc Emitter�Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Coll

1.3. bc337 bc338.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC337/D Amplifier Transistors NPN Silicon BC337,-16,-25,-40 BC338,-16,-25,-40 COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol BC337 BC338 Unit CASE 29�04, STYLE 17 Collector�Emitter Voltage VCEO 45 25 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector�Base Voltage VCBO 50 30 Vdc Emitter�Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Coll

1.4. bc337 3.pdf Size:52K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC337 NPN general purpose transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BC337 FEATURES PINNING � High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector � Genera

BC817; BC817W; BC337 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Rev. 06 � 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose transistors. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA BC817 SOT23 – BC807 BC817W SOT323 SC-70 BC807W BC337[1] SOT54 (TO-92) SC-43A BC327 [1] Also available in SOT54A and SOT54 variant

BC337-25 BC337-40 � SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS PRELIMINARY DATA Ordering Code Marking Package / Shipment BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY TO-92 TO-92 THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

1.7. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16 BC337-25 E TO-92 B C NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12. See TN3019A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCES Collector-Base Voltage 50

1.8. bc337 bc338.pdf Size:27K _fairchild_semi

BC337/338 Switching and Amplifier Applications � Suitable for AF-Driver stages and low power output stages � Complement to BC327/BC328 TO-92 1 1. Collector 2. Base 3. Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage : BC337 50 V : BC338 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage : B

1.9. bc337 338 1.pdf Size:179K _vishay

BC337 and BC338 Vishay Semiconductors formerly General Semiconductor Small Signal Transistors (NPN) TO-226AA (TO-92) Features � NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching 0.142 (3.6) 0.181 (4.6) and amplifier applications. Especially suited for AF-driver stages and low power output stages. � These types are also available subdivided into three groups -16, -25, and -40, acco

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 � Fax: (631) 435-1824

MCC BC337-16/25/40 TM Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components BC338-16/25/40 CA 91311 Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features NPN � Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. � Collector-current 0.8A Plastic-Encapsulate � Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338) Transistors � Lead Free Finish/RoHS Co

BC337, BC337-25, BC337-40 Amplifier Transistors NPN Silicon http://onsemi.com Features � These are Pb-Free Devices COLLECTOR 1 2 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit Collector – Emitter Voltage VCEO 45 Vdc 3 EMITTER Collector – Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current – Continuous IC 800 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25�C PD

1.13. sbc337.pdf Size:192K _auk

SBC337 NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection • High current application C • Switching application B Features • Suitable for AF-Driver stage and low E power output stages • Complementary pair with SBC327 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC337 SBC337 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Characteristic Symbol Rati

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BC327/A BC328 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC337/A BC338 NPN TO-92 Plastic Package For Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with “T” E B C General Purpose Transistors Best Suited for use in Driver and Output Stages of Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25?C) DE

1.16. bc337.pdf Size:338K _kec

SEMICONDUCTOR BC337 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Current : IC=800mA. DC Current Gain : hFE=100 630 (VCE=1V, Ic=100mA). N DIM MILLIMETERS For Complementary with PNP type BC327. A 4.70 MAX E K G B 4.80 MAX C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.

BC337/338(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BC337 50 V BC338 30 VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45 V BC338 25 Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collecto

1.18. bc337 bc338.pdf Size:256K _wietron

BC337/BC338 NPN General Purpose Transistor COLLECTOR 1 P b Lead(Pb)-Free TO-92 2 BASE 1 3 2 3 EMITTER Maximum Ratings(TA=25°C unless otherwise noted) Rating Symbol BC337 BC338 Unit VCBO Collector-Base voltage 50 30 V VCEO V Collector-Emitter voltage 45 25 VEBO V Emitter-Base voltage 5.0 5.0 Collector Current Continuous lC mA 800 Total Device Dissipation PD 625 mW/°C

1.19. bc337m.pdf Size:808K _blue-rocket-elect

BC337M(BR3DG337M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 大电流,与 BC327M(BR3CG327M)互补。 High current, complementary pair with BC327M(BR3CG327M). 用途 / Applications 用于一般放大及开关线路。 General power amplifier and switching.

1.20. bc337 bc338.pdf Size:78K _first_silicon

SEMICONDUCTOR BC337/338 TECHNICAL DATA BC337/BC338 TRANSISTOR (NPN) B C FEATURES High Current : IC=800mA. DC Current Gain : hFE=100 630 (VCE=1V, Ic=100mA). DIM MILLIMETERS For Complementary with PNP type BC327. A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) G 0.85 H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 Symb

1.21. bc337.pdf Size:856K _kexin

DIP Type Transistors NPN Transistors BC337 (KC337) TO-92 Unit: mm +0.25 4.58 –0.15 ■ Features ● Collector Current Capability IC=0.5A 0.46 0.10 ● Collector Emitter Voltage VCEO=45V C ● Complement to BC327. +0.10 1.27TYP 1.27TYP 0.38 –0.05 1 2 3 B [1.27 0.20] [1.27 0.20] 3.60 0.20 E 1. Emitter 2. Base (R2.29) 3. Collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃