Меню Рубрики

C5353 datasheet на русском

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
  • Изолированный корпус.
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 900 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 3,0/5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 25 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,15 А 15
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А 1,0 В
Ib Ток базы 1,0 А
Tr/Tf Время нарастания/спада 0,5 0,7/0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось – ничего, все равно нужно было выбрасывать.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: UTC
Сфера применения:
Популярность: 3246
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353. Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5353.


Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

Читайте также:  Графитовая смазка для чего используется

“>

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *