Содержание
Транзисторы BUZ11
Т ранзисторы BUZ11 – кремниевые, полевые МДП, тип канала – n. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания , преобразователях в качестве мощных ключевых элементов. Корпус TO-220, с гибкими выводами.
Маркировка буквенно – цифровая.
Основные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) – 75 Вт(на радиаторе).
Крутизна характеристики (передаточная проводимость)gfs – 1,5 А/В.
Максимальный постоянный ток истока IDmax – 30 А, пульсирующий – 120 А.
Максимальное напряжение сток-исток UDSmax – 50В.
Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax – ±20В.
Максимальное значение сопротивления исток-сток во включенном состоянии RDS(on)max – 0,04Ом.
BUZ11 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ11
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
BUZ11 Datasheet (PDF)
1.1. buz111sl.pdf Size:77K _update_mosfet
BUZ111SL SPP80N05L SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ111SL 55 V 80 A 0.01 Ω TO-220 AB Q67040-S4003-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current
1.2. buz11al.pdf Size:332K _update_mosfet
1.3. buz111s.pdf Size:112K _update_mosfet
BUZ 111S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS • N channel Drain-Source on-state resistance 0.008 RDS(on) Ω • Enhancement mode Continuous drain current 80 A ID • Avalanche rated • dv/dt rated • 175˚C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ111S P-TO220-3-1 Q67040-S4003-A2 Tub
1.4. buz110s.pdf Size:88K _update_mosfet
BUZ 110 S SPP80N05 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >
BUZ11A N – CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V 
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Основные параметры BUZ11A полевого транзистора n-канального.Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ11A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET |
| Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Tj max, °C | Fr (Ton/of) | Ciss tip | Rds |
| 75W | 50V | 50V | ±20V | 27A | 175°C | 45/300nS | 900pF | 0.055 |
Производитель: STE
Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
Популярность: 1959
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUZ11A
| Общий вид транзистора BUZ11A. | Цоколевка транзистора BUZ11A. |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ11A.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.