Содержание
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127DЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 50000 | 700 | 400 | 9 | 2500 | -55+150 | 5000000 | 10-40 |
Производитель: JITONG TECHNOLOGY
Сфера применения:
Популярность: 16290
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 3DD127D
| Общий вид транзистора 3DD127D. | Цоколевка транзистора 3DD127D. |
 |
 |
Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.
Дата создания страницы: 2015-01-19 08:12:58.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD127D.
Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2015-01-19 08:13:58; Пользователь: Без имени.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127DЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 50000 | 700 | 400 | 9 | 2500 | -55+150 | 5000000 | 10-40 |
Производитель: JITONG TECHNOLOGY
Сфера применения:
Популярность: 16290
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 3DD127D
| Общий вид транзистора 3DD127D. | Цоколевка транзистора 3DD127D. |
| |
|
Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.
Дата создания страницы: 2015-01-19 08:12:58.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD127D.
Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2015-01-19 08:13:58; Пользователь: Без имени.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор 3DD127D – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD127D
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126F
3DD127D Datasheet (PDF)
1.1. 3dd127d.pdf Size:151K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD127D 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品采 ● 高温特性好 IC 2.5 A 用平面工艺， 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 构和少子�
1.2. 3dd127d3.pdf Size:145K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D3 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 40 结构和�
1.3. 3dd127d5.pdf Size:147K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D5 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D5 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 40 结构和�