Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
2SK2718 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK2718
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.4 Ohm
Тип корпуса: TO220NIS
2SK2718 Datasheet (PDF)
1.1. 2sk2718.pdf Size:411K _toshiba
2SK2718 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII) 2SK2718 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 5.6 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 2.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA)
4.1. 2sk2715tl.pdf Size:145K _update
Transistors Switching (500V, 2A) 2SK2715 FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) W >4.2. 2sk2719.pdf Size:325K _toshiba
4.3. 2sk2717.pdf Size:409K _toshiba
2SK2717 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII) 2SK2717 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 2.3 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA)
4.5. 2sk2711.pdf Size:139K _rohm
Transistors Switching (250V, 16A) 2SK2711 FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) W >4.6. 2sk2715 1-5.pdf Size:133K _rohm
4.8. 2sk2714.pdf Size:144K _rohm
Transistors Switching (500V, 10A) 2SK2714 FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) W >4.9. 2sk2713.pdf Size:143K _rohm
Transistors Switching (450V, 5A) 2SK2713 FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) W >4.10. 2sk2715.pdf Size:138K _rohm
Transistors Switching (500V, 2A) 2SK2715 FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) W >4.11. 2sk2711 1-5.pdf Size:134K _rohm
Semiconductor Pinout Informations
K2718 Datasheet – Vdss=900V, N-Ch MOSFET – Toshiba
Part Number : K2718, 2SK2718
Description : Silicon N Channel MOSFET
DC−DC Converter and Motor Drive Applications
1. Low drain−source ON resistance : RDS (ON)= 5.6 Ω(typ.)
2. High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.)
3. Low leakage current : > 4. Enhancement mode : Vth= 2.0
1. Drain−source voltage : VDSS = 900 V
2. Drain−gate voltage (RGS= 20 kΩ) : VDGR = 900 V
3. Gate−source voltage : VGSS = ±30 V
4. Drain power dissipation (Tc = 25°C) : PD = 40 W
5. Single pulse avalanche energy : EAS = 216 mJ