Содержание
K2837 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: K2837
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Выходная емкость (Cd): 520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO-247
K2837 Datasheet (PDF)
1.1. k2837.pdf Size:498K _update_mosfet
K2837 K2837 K2837 K2837 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 24A,500V,RDS(on)(Max0.19Ω)@VGS=10V ■ Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power field ef
1.2. k2837b.pdf Size:572K _update_mosfet
K2837B K2837B K2837B K2837B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,R (Max0.19Ω)@V =10V ■ DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power
1.3. 2sk2837.pdf Size:426K _toshiba
2SK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV) 2SK2837 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.21 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 17 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode : Vth = 2.0
Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Основные параметры полевого n-канального транзистора K2837BЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора K2837B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Тип канала: n-канал |
| Pd max, мВт | Uds max, В | Udg max, В | Ugs max, В | Id max, мА | Tj max, °C | Fr (T on/of) | Ciss tip, пФ | Rds, Ом |
| 271000 | 500 | – | 30 | 96000 | -55+150 | (Ton:80/Tof:200nS) | 3500 | 0,16 |
Производитель: WinSemi
Сфера применения:
Популярность: 1655
Дополнительные параметры транзистора K2837B: Корпус: TO-247AD; dV/dt: 4,5В/нс; Rth: 0,46°C; Coss: 520пФ; Crss: 55пФ; Qg: 90нКл; Qgs: 23нКл; Qgd: 44нКл; Trise: 250нc; Tfall: 155нc; Trr: 400нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора K2837B
| Общий вид транзистора K2837B. | Цоколевка транзистора K2837B. |
 |
|
Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.
Дата создания страницы: 2016-03-24 15:27:52; Пользователь: .
Коллективный разум. Дополнения для транзистора K2837B.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.