S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H_FE)_. Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号） （参数名称） （额定值） （单位） VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR（ NPN ） FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем – применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – от 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А – – 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А – – не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока. – 2МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора – 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора – 12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора – 50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в – 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в – не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) – высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H – SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно – цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 – код J6 сверху .
На рисунке ниже – цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц – не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 – от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 – от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 – от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА – – не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 – 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H – 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 – 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H – 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 – 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H – 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 – 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H – 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в – не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в – не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 – STS9015.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".